[发明专利]一种蜂窝状三维连续多孔硅材料及其制备方法在审
申请号: | 201610439451.4 | 申请日: | 2016-06-17 |
公开(公告)号: | CN106115708A | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 程亚军;左秀霞;朱锦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C01B33/02 | 分类号: | C01B33/02;C01B33/021;H01M4/38;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种蜂窝状三维连续多孔硅材料及其制备方法。本发明硅材料,是蜂窝状、三维连续、多孔结构;上述硅杂化材料采用stober法单分散80~800nm球形二氧化硅纳米粒子为硅源,置于700~900℃下通过镁热还原将部分二氧化硅还原为单质硅后,最后采用氢氟酸刻蚀处理后制备而成。本发明方法采用简单易得成本低廉的stober法二氧化硅为原料,结合工艺成熟,能耗较低的镁热还原技术,同时辅以氢氟酸刻蚀,制备蜂窝状三维连续多孔硅材料,该材料孔洞分布均匀,尺寸可调,且结构稳定,有望在锂离子电池、光电材料、生物医药等领域广泛应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 蜂窝状 三维 连续 多孔 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硅材料,其特征在于呈蜂窝状、三维连续、多孔结构;上述硅杂化材料采用stober法单分散80~800nm球形二氧化硅纳米粒子为硅源,置于700~900℃下通过镁热还原将部分二氧化硅还原为单质硅后,最后采用氢氟酸刻蚀处理后制备而成。
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