[发明专利]一种高精度带隙基准电路在审
| 申请号： | 201610438653.7 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106055009A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 徐文静;陈杰;高岑;赵士彬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带隙基准电路，其中，第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)的源极均与输入电源连接，栅极均与所述运算放大器(A)的输出端连接；第一MOS管(M1)的漏极和所述第一三级管(Q1)的发射级连接到所述运算放大器(A)的负输入端；第二MOS管(M2)的漏极经由一个第一开关电容电路连接到所述运算放大器(A)的正输入端；第二三极管(Q2)的发射极经由一个第二开关电容电路也连接到所述运算放大器(A)的正输入端。本发明将现有的带隙基准电路中的电阻替换为开关电容电路，可提高带隙基准电路产生的基准电压及基准电流的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种带隙基准电路，包括第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)和运算放大器(A)，其中，所述第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)的源极均与输入电源连接，栅极均与所述运算放大器(A)的输出端连接；所述第一MOS管(M1)的漏极和所述第一三级管(Q1)的发射级连接到所述运算放大器(A)的负输入端；其特征在于：所述第二MOS管(M2)的漏极经由一个第一开关电容电路连接到所述运算放大器(A)的正输入端；所述第二三极管(Q2)的发射极经由一个第二开关电容电路也连接到所述运算放大器(A)的正输入端。
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