[发明专利]场发射器件中钼与硅基底焊接的方法有效
| 申请号： | 201610431929.9 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105870028B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王小菊;王旭聪;马祥云;曹贵川;祁康成;林祖伦 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B23K1/19;B23K1/20 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种场发射器件中钼与硅基底焊接的方法，先在硅基底上蒸镀钼薄膜，然后将蒸镀钼薄膜的硅基底与钼片进行焊接，即在硅基底上镀一层钼保护层，起到阻隔钎料的作用，硅与钼片连接紧密不会断裂，大大提高了焊接强度。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 器件 基底 焊接 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射器件中钼与硅基底焊接的方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)对钼片进行高温真空退火，退火温度高于1000℃，退火时间20～60min；(2)采用薄膜沉积技术在硅基底上蒸镀钼薄膜，系统真空度为5×10‑4Pa以下；(3)将镀钼之后的硅基底、铜银合金片、钼片依次叠放在烧结炉中，进行高真空烧结，真空度为6×10‑4Pa以下，烧结温度为700℃以上，其中银铜合金厚度0.03～0.09mm；钼片厚度0.01～0.09mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610431929.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
