[发明专利]一种利用可见光照射获取体外培养的细胞/细胞薄层的方法有效
申请号: | 201610429597.0 | 申请日: | 2016-06-16 |
公开(公告)号: | CN106085948B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 程逵;王小召;翁文剑 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C12N5/071 | 分类号: | C12N5/071;C12N5/077;C12N5/0775 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 韩介梅;万尾甜 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用可见光照射获取体外培养的细胞/细胞薄层的方法。该方法首先在光敏材料表面实现细胞体外培养,体外培养结束后通过施加光场,材料表面发生光电转变,实现细胞脱附,避免了传统酶解法对细胞功能造成的损伤。本发明所利用的光敏材料为具有p/n结的光敏半导体片材或其薄膜。该方法利用可见光获得的细胞片层保留了重要的细胞外基质蛋白,如离子通道、连接蛋白等,细胞间可以更好地进行信号传递,保持功能的协调一致。大大提高了细胞的利用率和转移细胞的活性。所述实验方法流程简单,实验条件温和,成本低,具有良好的可操作性,且便于推广实施。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 可见光 照射 获取 体外 培养 细胞 薄层 方法 | ||
【主权项】:
1.一种利用可见光照射获取体外培养的细胞/细胞薄层的方法,其特征在于,包括以下步骤:a. 将具有p/n结的光敏半导体片材或其薄膜以紫外光照或蒸气消毒方式消毒;其中光敏半导体为p型或n型的单晶硅、多晶硅或者非晶硅,在其表面通过施主元素扩散或受主元素扩散形成有p/n结;b. 将上述具有p/n结的光敏半导体片材或其薄膜作为体外细胞培养表面,在其表面以3×104~1×106个/cm2的密度种植细胞,加入细胞培养基,并放入37摄氏度恒温及5%二氧化碳的细胞培养箱中培养1~10天;c. 将经上述培养后的培养表面移入PBS中,以波长为400~800纳米、强度30~200mW/cm2的可见光照射上述光敏半导体片材或其薄膜1~20分钟,即可使培养后的细胞或细胞薄层脱附。
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