[发明专利]一种超薄菱形截面硫硒化钴复合纳米阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种超薄菱形截面硫硒化钴复合纳米阵列的制备方法，将硝酸钴溶于蒸馏水中，再加入氯化铵和尿素，将溶液搅拌混合均匀后转入含有导电玻璃的水热反应釜中，然后于120‑150℃水热反应30‑60min，冷却至室温后用蒸馏水反复冲洗得到表面覆盖有碱式碳酸钴的导电玻璃片；将硒粉和硫粉充分研磨混合后置于瓷舟内，再将表面覆盖有碱式碳酸钴的导电玻璃片置于瓷舟内，然后将瓷舟置于管式炉内并通入保护气，于450℃反应1‑3h后得到超薄菱形截面硫硒化钴复合纳米阵列。本发明制得的硫硒化钴复合纳米阵列具有较大的比表面积并提供了良好的电子传输孔道，因而表现出良好的电化学特性和催化性能，能够很好地应用于量子点敏化太阳能电池的对电极。

主权项

1.一种超薄菱形截面硫硒化钴复合纳米阵列的制备方法，其特征在于具体步骤为：步骤（1），表面覆盖有碱式碳酸钴的导电玻璃片的制备，将硝酸钴溶于蒸馏水中，再加入氯化铵和尿素，将溶液搅拌混合均匀后转入含有导电玻璃的水热反应釜中，然后于120‑150℃水热反应30‑60min，冷却至室温后用蒸馏水反复冲洗得到表面覆盖有碱式碳酸钴的导电玻璃片，所述硝酸钴、氯化铵与尿素的摩尔比为1:2:5；步骤（2），超薄菱形截面硫硒化钴复合纳米阵列的制备，将硒粉和硫粉充分研磨混合后置于瓷舟内，再将步骤（1）得到的表面覆盖有碱式碳酸钴的导电玻璃片置于瓷舟内，然后将瓷舟置于管式炉内并继续通入保护气，于450℃反应1‑3h后将导电玻璃片取出并清洗干净，再置于真空干燥箱内干燥得到超薄菱形截面硫硒化钴复合纳米阵列，该超薄菱形截面硫硒化钴复合纳米阵列垂直于导电玻璃片生长且厚度为300‑500nm，所述硒粉和硫粉的投料总质量为1mmol硝酸钴对应硒粉和硫粉的总质量为0.16g，硒粉与硫粉的质量比为1‑3:1。