[发明专利]保护负载元器件的自分流拓扑电路

摘要

本发明公开了一种保护负载元器件的自分流拓扑电路，包括两晶体三极管Q1、Q2和四电阻R1、R2、R3、R4，电阻R1和R2串联后并接于负载电阻两端；晶体三极管Q1的集电极通过电阻R4接负载电阻高电位端，Q1的发射极接负载电阻低电位端，Q1的基极接于电阻R1和R2之间；晶体三极管Q2的集电极通过电阻R3接负载电阻高电位端，Q2的发射极接负载电阻低电位端，Q2的基极连接于晶体三极管Q1的集电极和电阻R4之间。在干扰电流出现时，电路自动分流，使干扰电流大部分从自分流电路流过，从而避免负载受到过大的干扰电流冲击；当为正常工作电流时，自分流电路将解除保护状态，从而不影响负载元器件正常工作。

主权项

1.保护负载元器件的自分流拓扑电路，包括两晶体三极管Q1、Q2和四电阻R1、R2、R3、R4，电阻R1和R2串联后并接于负载电阻两端；晶体三极管Q1的集电极通过电阻R4接负载电阻高电位端，晶体三极管Q1的发射极接负载电阻低电位端，晶体三极管Q1的基极接于电阻R1和R2之间；晶体三极管Q2的集电极通过电阻R3接负载电阻高电位端，晶体三极管Q2的发射极接负载电阻低电位端，晶体三极管Q2的基极连接于晶体三极管Q1的集电极和电阻R4之间；电阻R1、R2、R3、R4的阻值满足以下要求，电阻R1和R2的阻值之和≫负载电阻RL的阻值；电阻R4的阻值≫负载电阻RL的阻值；电阻R3的阻值略小于负载电阻RL的阻值。