[发明专利]一种软磁合金粉体表面包覆二氧化硅绝缘膜层的方法有效
申请号: | 201610399503.X | 申请日: | 2016-06-07 |
公开(公告)号: | CN105965012B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 汪小明;刘波;郭春生;刘凯 | 申请(专利权)人: | 广州新莱福磁电有限公司 |
主分类号: | B22F1/02 | 分类号: | B22F1/02;H01F1/24 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人: | 胡辉 |
地址: | 511356 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种软磁合金粉体表面包覆二氧化硅绝缘膜层的方法。制备方法包括步骤1)将氯源物质平铺在容器底部;2)将硅源前驱体、助剂和待包覆软磁合金粉体混匀得到混合料,将混合料平铺在另一容器底部;或者将混合料平铺在氯源物质上;3)将平铺有氯源物质的容器,平铺有混合料的另一容器置于氢气氛围中进行处理;或者,将平铺有氯源物质、混合料的容器置于氢气氛围中进行处理;4)自然退火至室温后取出,即得到包覆后的软磁合金粉体,之后经过磁选,即可。按照上述方法制备的表面包覆二氧化硅绝缘膜层的软磁合金粉体。本发明的得到的包覆层均匀且厚度可控,最薄可达纳米级别,并具耐高温特性,包覆层与粉体结合紧密,在高温及高压下膜层结合良好,不脱落。 | ||
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【主权项】:
一种软磁合金粉体表面包覆二氧化硅绝缘膜层的方法,其特征在于:包括如下步骤:1)将氯源物质平铺在容器底部;2)将硅源前驱体、助剂和待包覆软磁合金粉体混匀得到混合料,将混合料平铺在另一容器底部;或者将混合料平铺在氯源物质上;3)将平铺有氯源物质的容器,平铺有混合料的另一容器与水源物质置于氢气氛围中进行处理;或者,将平铺有氯源物质、混合料的容器与水源物质置于氢气氛围中进行处理;处理的步骤为:以3~10℃/分钟的升温速率升温至250~450℃保温0.5~4小时,之后继续以3~10℃/分钟的升温速率升温至1000~1300℃焙烧0.5~2小时;4)自然退火至室温后取出,即得到包覆后的软磁合金粉体,之后经过磁选,即可;所述的硅源前驱体为金属硅粉;所述的氯源物质为氯化钙、氯化钾、氯化钠、氯化铁、氯化钛、氯化铵中的至少一种;所述的水源物质为氧化铁、氧化镍、氧化钼、氧化锌、氧化铜中的至少一种;所述的助剂为氧化钙、碳酸钙、碳酸钠、烧碱、氧化铝中的至少一种。
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