[发明专利]一种制备二硫化铼薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610397389.7 | 申请日： | 2016-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN105821383B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陈远富;戚飞;郑斌杰;李萍剑;周金浩;王新强;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/26 | 分类号： | C23C14/26;C23C14/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备二硫化铼薄膜的方法，属于新型二维纳米材料制备领域。本发明将硫粉、二硫化铼粉末和目标基底分别置于真空管式炉的炉膛前端、炉膛中心和炉膛后端，在真空条件下，通入氩气作为工作气体；通过控制加热带温度，使得硫粉挥发形成保护气氛，通过控制所述炉膛温度和氩气流量，使得二硫化铼分子高温蒸发并通过氩气输运至目标基底，通过控制目标基底温度和沉积时间，使得二硫化铼分子在目标基底上沉积，沉积完成后迅速冷却制得二硫化铼薄膜。本发明操作简单，制备出二硫化铼质量高、薄膜厚度和面积可控，兼具效率高、重复性好、可批量化等优势。本发明为二硫化铼在电学和光学方面的应用提供了可靠的样品制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 硫化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备二硫化铼薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：在气压为10～200Pa的条件下，将硫粉、二硫化铼粉末和目标基底分别置于真空管式炉的炉膛前端、炉膛中心和炉膛后端，在真空条件下，通入氩气作为工作气体；通过控制加热带温度为60～110℃使得硫粉挥发形成保护气氛，通过控制所述炉膛的温度为700～1000℃，氩气流量为10～100sccm，使得二硫化铼分子高温蒸发并通过氩气输运至目标基底，通过控制目标基底温度为300～600℃，沉积时间为0.5～2小时，最终在目标基底上沉积形成二硫化铼薄膜。
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