[发明专利]超疏水的分子富集浓缩芯片及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种超疏水的分子富集浓缩芯片及其制备方法和应用，所述的制备方法包括以下步骤：将清洗干净的硅片进行增粘处理，并将光刻胶均匀涂胶到硅片上，接着进行烘烤；再将烘烤后的硅片与光刻板上的图案进行预对位及自动对位操作，对位完成后进行曝光处理，然后进行显影处理，随后对硅片进行深硅刻蚀处理，再通过磁控溅射将晶体膜Au喷射在硅柱阵列结构的硅片上得到模板材料；将清洗干净的石墨作为负极，模板材料作为正极，置于电沉积液中电沉积反应得到具有纳米银硅柱阵列结构的芯片，取出后用清水清洗干净，再用纯氩气吹干。制备的超疏水的分子富集浓缩芯片具有超灵敏，快响应，低溶剂损耗率的优点。

主权项

1.一种超疏水的分子富集浓缩芯片，其特征在于所述的超疏水的分子富集浓缩芯片为四方形或六边形均匀阵列点阵结构排列的纳米银硅柱，所述的纳米银硅柱为硅柱上均匀包裹纳米银，纳米银为1～2微米的片层结构，纳米银硅柱为高度12～55微米、直径为2～5微米的规整柱状，纳米银硅柱之间的间隙为8～12nm；所述的超疏水的分子富集浓缩芯片采用以下制备方法制成：步骤A：将清洗干净的硅片进行增粘处理，并将光刻胶均匀涂胶到硅片上，接着进行烘烤；再将烘烤后的硅片与光刻板上的图案进行预对位及自动对位操作，对位完成后进行曝光处理，然后进行显影处理，获得了均一阵列结构图案的硅片，随后对硅片进行深硅刻蚀处理，得到均一硅柱阵列结构的硅片，再通过磁控溅射将晶体膜Au喷射在硅柱阵列结构的硅片上得到模板材料；步骤B：1～3g/L的硝酸银水溶液和3～5g/L柠檬酸水溶液按照体积比为1：1的比例相混合均匀，得到电沉积液；将清洗干净的石墨作为负极，模板材料作为正极，置于所述的电沉积液中电沉积反应得到具有纳米银硅柱阵列结构的芯片，取出后用清水清洗干净，再用纯氩气吹干，得到所述的超疏水的分子富集浓缩芯片。