[发明专利]一种控制硅基微结构内部空腔形成位置的研究方法有效
| 申请号： | 201610390923.1 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN106006542B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张俐楠;郑伟;陈超;吴立群;王洪成 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了控制硅基微结构内部空腔形成位置的研究方法，按如下步骤进行：(1)进行温热处理硅基微结构成形研究的材料在一定温度环境中处理一段时间，使其变软；(2)利用离子刻蚀机制造出U型圆柱孔状的样本；(3)将上述过程得到的U型圆柱孔在一定温度下环境中进行热处理一段时间，得到硅基微结构空腔位置。本发明温热处理下硅基微结构空腔位置变化规律研究方法，主要操作：在一定的温度环境下，对不同初始结构参数的硅材料进行热处理15min，探究硅基微结构空腔位置变化规律，从而达到控制硅基微结构空腔位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 微结构 内部 空腔 形成 位置 研究 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制硅基微结构内部空腔形成位置的研究方法，按如下步骤进行：（1）进行温热处理硅基微结构成形研究的材料在一定温度环境中处理一段时间，使其变软；（2）利用离子刻蚀机制造出U型圆柱孔状的样本；（3）将上述过程得到的U型圆柱孔在一定温度下环境中进行热处理一段时间，得到硅基微结构空腔位置; 所述的温度是1150℃；所述的时间为15min；其特征是：利用硅基微结构样本初始结构与形成位置的关系式分别控制硅基微结构内部空腔形成位置，位置分别是：1）控制硅基微结构内部空腔形成位置居于中间位置处；2）控制硅基微结构内部空腔形成位置居于1/3位置处；3）控制硅基微结构内部空腔形成位置居于2/3位置处;该硅基微结构样本初始结构与形成位置的关系式： 4/3(tI‑bottom‑tF‑bottom)
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610390923.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
