[发明专利]一种表面等离子体增强量子阱红外探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610388352.8 申请日: 2016-06-02
公开(公告)号: CN105870219A 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 陈良惠;廖垠鑫;宋国峰;徐云 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/101;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种表面等离子体增强量子阱红外探测器,所述探测器包括顶部接触层,其中所述顶部接触层上有刻蚀的光栅结构;所述顶部接触层之上设置有沉积的绝缘保护层;所述绝缘保护层上设置有向下刻蚀出的电极窗口,所述电极窗口开设至下部的顶部接触层;在所述电极窗口处沉积有金属电极层,所述金属电极层与所述顶部接触层以及所述光栅接触。该红外探测器通过将金属电极层与含光栅的顶部接触层的接触,在金属与接触层的接触处形成了表面等离子激元,增强了量子阱红外探测器的外量子效率。
搜索关键词: 一种 表面 等离子体 增强 量子 红外探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种表面等离子体增强量子阱红外探测器,所述探测器包括外延片,以及顺次制作在所述外延片一侧上的底部接触层、多量子阱层和顶部接触层,其中,所述顶部接触层上具有刻蚀的光栅结构;所述顶部接触层之上设置有绝缘保护层;在所述绝缘保护层上,设置有向下刻蚀出的电极窗口,所述电极窗口开设至下部的顶部接触层的上下表面之间;以及在所述电极窗口处沉积有金属电极层,所述金属电极层与所述顶部接触层以及所述光栅接触。
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