[发明专利]一种表面等离子体增强量子阱红外探测器及其制备方法在审
申请号: | 201610388352.8 | 申请日: | 2016-06-02 |
公开(公告)号: | CN105870219A | 公开(公告)日: | 2016-08-17 |
发明(设计)人: | 陈良惠;廖垠鑫;宋国峰;徐云 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种表面等离子体增强量子阱红外探测器,所述探测器包括顶部接触层,其中所述顶部接触层上有刻蚀的光栅结构;所述顶部接触层之上设置有沉积的绝缘保护层;所述绝缘保护层上设置有向下刻蚀出的电极窗口,所述电极窗口开设至下部的顶部接触层;在所述电极窗口处沉积有金属电极层,所述金属电极层与所述顶部接触层以及所述光栅接触。该红外探测器通过将金属电极层与含光栅的顶部接触层的接触,在金属与接触层的接触处形成了表面等离子激元,增强了量子阱红外探测器的外量子效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 等离子体 增强 量子 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种表面等离子体增强量子阱红外探测器,所述探测器包括外延片,以及顺次制作在所述外延片一侧上的底部接触层、多量子阱层和顶部接触层,其中,所述顶部接触层上具有刻蚀的光栅结构;所述顶部接触层之上设置有绝缘保护层;在所述绝缘保护层上,设置有向下刻蚀出的电极窗口,所述电极窗口开设至下部的顶部接触层的上下表面之间;以及在所述电极窗口处沉积有金属电极层,所述金属电极层与所述顶部接触层以及所述光栅接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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