[发明专利]硅基太阳能电池N型表面隧穿氧化钝化接触制作方法

摘要

本发明涉及硅基太阳能电池N型表面隧穿氧化钝化接触制作方法，包括以下步骤(1)前道工序处理后对单晶硅片表面用溶液清洗，去除表面氧化层；(2)对单晶硅片表面进行氧化，形成一层超薄隧穿氧化层；(3)利用化学气相沉积法在超薄隧穿氧化层上方沉积硅薄层，并完成对该硅薄层的磷掺杂；(4)将硅片进行氧化退火，进一步改善硅层微观结构及性能；(5)在掺磷硅薄层上方采用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅钝化减反射层；(6)在氮化硅钝化减反射层的表面印刷金属电极，即完成制作过程。本发明可大幅降低电池片的表面复合，起到优良的钝化效果，提升开路电压；产品具有良好的热稳定性，无需开发专用低温工艺，从而降低成本。

主权项

硅基太阳能电池N型表面隧穿氧化钝化接触制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)对单晶硅片进行前道工序处理，然后对单晶硅片要进行隧穿氧化钝化接触的N型表面用溶液清洗，去除表面氧化层；(2)对处理后的单晶硅片表面进行氧化，形成一层超薄隧穿氧化层；(3)利用化学气相沉积法在超薄隧穿氧化层上方沉积硅薄层，并进行磷掺杂，形成掺磷硅薄层；(4)将硅片进行氧化退火，进一步改善硅层微观结构及性能；(5)在掺磷硅薄层上方采用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅钝化减反射层；(6)在氮化硅钝化减反射层的表面印刷金属电极，确保电极与硅片间形成良好的接触，即完成硅基太阳能电池N型表面隧穿氧化钝化接触的制作。