[发明专利]一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法。LED芯片的结构从下到上依次为金属基板、电镀种子层、反射电极层、p型氮化镓层、有源层、n型氮化镓层、二维光子晶体结构和n型金属电极；所述金属基板由高导热的金属组成，金属基板为铜材料，厚度范围为80～250μm；反射电极为区域沉积于芯片中心位置，电镀种子层为整层沉积，覆盖整个反射电极以及过道区；所述电镀种子层除了起电镀种子层作用外还在于保护反射电极层的扩散，防止造成芯片漏电失效。本发明所设计光子晶体结构，不仅具有较宽的光子禁带，并且所制备的光子晶体的参数使得LED芯片具有较高的光萃取效率。

主权项

1.一种高光萃取效率的近紫外LED芯片，其特征在于它的结构从下到上依次为金属基板、电镀种子层、反射电极层、 p型氮化镓层、有源层、n型氮化镓层、二维光子晶体结构和n型金属电极；在电镀种子层上选择性地涂覆一层非导电物质，使得芯片之间的过道处都形成非导电物质；所述金属基板只在芯片区域处生长，过道处被非导电物质阻挡不能生长；所述金属基板由高导热的金属组成，金属基板为铜材料，所述金属基板在电镀种子层上选择性生长，金属基板厚度范围为80～250μm；所述p型氮化镓层的厚度为120nm~280nm，所述有源区的发光峰值波长为350nm到400nm；所述n型氮化镓层的厚度为500nm~800nm；所述电镀种子层为Ni/Au，Cr/Au，Ti/Au，Cr/Pt/Au，Ti/Cu，TiW/Cu中的一种，该电镀种子层完全覆盖反射电极的表面和侧面；所述电镀种子层为整层沉积；所述反射电极是基于Ag‑，Ni/Ag‑，ITO/Ag‑，ITO/Al‑具有低欧姆接触，高反射率的电极结构；反射电极为区域沉积于芯片中心位置，电镀种子层为整层沉积，覆盖整个反射电极以及过道区；所述电镀种子层除了起电镀种子层作用外还在于保护反射电极层的扩散，防止造成芯片漏电失效；所述二维光子晶体结构为三角排列结构，所述光子晶体的高度范围为250nm到350nm，所述光子晶体周期为150nm到250nm，所述光子晶体占空比范围为0.5～0.8。