[发明专利]一种无公害韭菜的种植方法

摘要

本发明涉及一种无公害韭菜的种植方法，包括以下步骤：(1)、选择籽粒饱满、完整的韭菜种子进行表面处理；(2)、将上述步骤处理好的韭菜种子进行育苗；(3)、将种子进行移栽；(4)、进行日常除草、捉虫作业。本发明提供的无公害韭菜的种植方法使用不同的处理液进行处理，然后将种子使用育苗基质进行处理，育苗基质以有机质为主要成分，提升了种子的萌发率及移栽的成活率。

主权项

一种无公害韭菜的种植方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、选择籽粒饱满、完整的韭菜种子，使用质量分数2.5%的碳酸氢钠溶液浸泡处理10‑12min，先除去浮起的种子，然后将剩余的韭菜种子捞出，将韭菜种子使用20‑25℃的温水清洗，然后使用质量分数为0.65‑0.8%的硫酸亚铁溶液浸泡处理5‑8min，然后将韭菜种子在30‑35℃下烘干至含水量为35‑40%；(2)、将上述步骤处理好的韭菜种子的一端使用针扎破表皮，然后将韭菜种子使用质量分数为0.25%的柠檬酸溶液浸泡处理2min，浸泡完成后，将韭菜种子放入育苗盘进行育苗，育苗盘中放入育苗基质，育苗时，将针扎破表皮的种子一端插入育苗基质，插入深度为2‑3mm，所述育苗基质按重量计由以下原料制成：腐殖质80‑85份、磷酸二氢铵3‑5份、螯合锌0.2‑0.3份、螯合锰0.1‑0.2份、氯化钾1‑2份、黄沙10‑15份、硫磺粉0.2‑0.5份、糊化淀粉3‑5份、豆渣4‑6份；育苗基质制备时，将所述原料混合均匀，加水调节至含水量为60‑65%，得到育苗基质；(3)、将育苗盘放在15‑18℃下处理8‑10h，然后将育苗环境温度升至20‑25℃，至韭菜出芽，在韭菜芽长至2‑3cm时，将韭菜移栽至大田，移栽前施用底肥，移栽时，将韭菜根部埋入土中，剪除地面上部的韭菜芽，喷施质量分数为0.5%的碳酸氢钠溶液，喷施量为0.25kg/m²；(4)、进行日常除草、捉虫作业。