[发明专利]IGBT老化状态检测系统有效
申请号: | 201610368682.0 | 申请日: | 2016-05-27 |
公开(公告)号: | CN106168647B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 周雒维;彭英舟;张晏铭;蔡杰;王凯宏;孙鹏菊;杜雄 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R19/00 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 谢殿武 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的一种IGBT老化状态检测系统,包括测试电源、测试IGBT、可输出连续变化电流的可变驱动电路、导通驱动电路、采集单元以及上位主机;所述测试IGBT的发射极与待测IGBT的集电极连接,测试IGBT的集电极与测试电源的正极连接,测试电源的负极与待测IGBT的发射极连接,所述可变驱动电路的输出端与测试IGBT的栅极连接,导通驱动电路的输出端与待测IGBT的栅极连接,所述采集单元采集待测IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce以及集电极电流Ic并输出到上位主机;能够对于IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce进行连续变化测量,从而能够准确判断IGBT的老化状态。 | ||
搜索关键词: | igbt 老化 状态 检测 系统 | ||
【主权项】:
1.一种IGBT老化状态检测系统,其特征在于:包括测试电源、测试IGBT、可输出连续变化电流的可变驱动电路、导通驱动电路、采集单元以及上位主机;所述测试IGBT的发射极与待测IGBT的集电极连接,测试IGBT的集电极与测试电源的正极连接,测试电源的负极与待测IGBT的发射极连接,所述可变驱动电路的输出端与测试IGBT的栅极连接,导通驱动电路的输出端与待测IGBT的栅极连接,所述采集单元采集待测IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce以及集电极电流Ic并输出到上位主机;所述可变驱动电路包括隔离输入电路、信号处理电路以及输出电路,所述隔离输入电路的输入端与脉冲电源连接,所述隔离输入电路的输出端与信号处理电路的输入端连接,所述信号处理电路的输出端与输出电路的输入端连接,输出电路的输出端连接于测试IGBT的栅极;所述隔离输入电路包括电阻R1、电容C1、电阻R2以及光耦U1;所述电阻R1和电容C1并联后的一端作为隔离输入电路的输入端与脉冲电源连接,另一端与光耦U1的发光二极管的正极连接,光耦U1的发光二极管的负极接地,光耦U1的光敏二极管的正极通过电阻R2与光耦U1的三极管的集电极连接,光耦U1的光敏二极管的负极与光耦U1的三极管的基极连接,光耦U1的三极管的集电极作为隔离输入电路的输出端与信号处理电路的输入端连接,所述光耦U1的三极管的发射极接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610368682.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电缆局部放电监测系统
- 下一篇:用于测试漏电断路器的测试仪