[发明专利]肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201610365315.5 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN106206755A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 三宅裕树;永冈达司 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;许梅钰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种肖特基势垒二极管，具备：阳极电极，其与半导体基板的表面肖特基接触；阴极电极，其与半导体基板的背面欧姆接触。形成有从所述半导体基板的表面朝向背面延伸的沟槽，沟槽的内表面由绝缘膜覆盖。在沟槽的深部处堆积有绝缘层，并且在沟槽的浅部处堆积有导电层。在半导体基板内设置有：n型的表面侧区域，其与阳极电极相接；n型的背面侧区域，其与阴极电极相接；n型的中间区域，其对表面侧区域和背面侧区域进行连接；p型的区域，其与沟槽的底面相接；导通路径，其将p型的区域连接于所述阳极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管，具备：半导体基板；阳极电极，其与该半导体基板的表面肖特基接触；阴极电极，其与该半导体基板的背面欧姆接触，在所述肖特基势垒二极管中，形成有从所述半导体基板的表面朝向背面延伸的沟槽，该沟槽的内表面被绝缘膜覆盖，在所述内表面被所述绝缘膜覆盖的所述沟槽的深部处堆积有绝缘层，在所述内表面被所述绝缘膜覆盖的所述沟槽的浅部处堆积有导电层，所述半导体基板内形成有：n型的表面侧区域，其与所述阳极电极相接；n型的背面侧区域，其与所述阴极电极相接；n型的中间区域，其对所述表面侧区域和所述背面侧区域进行连接；p型的区域，其与所述沟槽的底面相接；导通路径，其将所述p型的区域连接于所述阳极电极。
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