[发明专利]D触发器有效
| 申请号： | 201610362808.3 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN106059540B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 杨国庆;徐庆光;刘浩 | 申请（专利权）人： | 湖南融创微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/3562 | 分类号： | H03K3/3562;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 冯倩 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市高新*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种D触发器，涉及触发器领域。该D触发器包括信号延迟电路，信号延迟电路安装有延时电容，在信号延迟电路安装负载电容，可利用电容的充放电作用可进一步加大输入脉冲的上升、下降时间，从而增强了D触发器抗单粒子的翻转能力。 | ||
| 搜索关键词： | 触发器 | ||
【主权项】：
1.一种D触发器，其特征在于，包括信号延迟电路，所述信号延迟电路用于对输入该D触发器的时钟信号进行时间延迟，所述信号延迟电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、延时电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第一输入端以及第一输出端，所述延时电容的正极、所述第一NMOS管的栅极、所述第一PMOS管的栅极以及所述第一输入端电连接，所述第一PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极以及所述第二NMOS管的栅极电连接，所述第二PMOS管的漏极、所述第二NMOS管的漏极以及所述第一输出端电连接。
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