[发明专利]反向导通绝缘栅双极性晶体管有效
| 申请号： | 201610354183.6 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN106206698B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 妹尾贤 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 11225 北京金信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苏萌萌;范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反向导通绝缘栅双极性晶体管，并提供一种在二极管区内设置有势垒区的反向导通IGBT中，使反向导通IGBT结构的功率损耗的降低与二极管结构的反向恢复特性的改善同时实现的技术。反向导通IGBT(1)具备被设置在半导体基板(10)的反向导通IGBT区(14a)内的具有格子状的布局的沟槽栅部(30)以及被设置在半导体基板(10)的二极管区(14b)内的具有条纹状的布局的虚设沟槽部(40)。半导体基板(10)的二极管区(14b)包含p型的体区(阳极区)(25)、n | ||
| 搜索关键词： | 向导 绝缘 极性 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种反向导通绝缘栅双极性晶体管，具备：/n半导体基板，其被划分为设置有绝缘栅双极性晶体管结构的绝缘栅双极性晶体管区和设置有二极管结构的二极管区；/n下表面电极，其与所述半导体基板的所述绝缘栅双极性晶体管区以及所述二极管区双方的下表面相接；/n上表面电极，其与所述半导体基板的所述绝缘栅双极性晶体管区以及所述二极管区双方的上表面相接；/n沟槽栅部，其被设置在所述半导体基板的所述绝缘栅双极性晶体管区内，并且在从与所述半导体基板的所述上表面正交的方向观察时具有格子状的布局；/n沟槽部，其被设置在所述半导体基板的所述二极管区内，并且在从与所述半导体基板的所述上表面正交的方向观察时具有条纹状的布局，/n所述沟槽部具有沿着第一方向延伸的多个条纹沟槽，/n所述半导体基板的所述二极管区具有：/n第一导电型的阳极区，其被设置在相邻的所述条纹沟槽之间，且露出于所述半导体基板的所述上表面，并且与所述上表面电极相接；/n第二导电型的漂移区，其被设置在所述阳极区的下方；/n第二导电型的势垒区，其被设置在相邻的所述条纹沟槽之间且被设置在所述阳极区与所述漂移区之间，并含有与所述漂移区的杂质浓度相比较浓的杂质浓度，并且通过从所述半导体基板的所述上表面起延伸的柱部而与所述上表面电极电连接。/n
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