[发明专利]一种压控振荡器电路有效

专利信息
申请号: 201610352991.9 申请日: 2016-05-25
公开(公告)号: CN107437938B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 章松;曾隆月 申请(专利权)人: 深圳骏通微集成电路设计有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 刘贻盛
地址: 518000 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例公开了一种压控振荡器电路,其包括依次电连接的控制单元、差分互补单元、以及谐振回路单元;差分互补单元包括多个基本单元,控制单元包括与基本单元一一对应的开关单元;基本单元包括一组交叉耦合的PMOS管与一组交叉耦合的NMOS管,且相邻基本单元中PMOS管的宽长比以第一公比成等比数列排布,相邻基本单元中NMOS管的宽长比以第二公比成等比数列排布,第一公比与所述第二公比相同。控制单元按照预设的排列组合规则控制开关单元的通断,进而控制基本单元处于工作状态或处于不工作状态以形成若干连续窄频段,谐振回路单元对若干连续窄频段进行调谐以使差分互补单元输出预设宽频。本发明实施例具有调谐范围宽,调谐振荡幅度稳定、且功耗小的特点。
搜索关键词: 一种 压控振荡器 电路
【主权项】:
一种压控振荡器电路,用于产生预设宽频,其特征在于,包括依次电连接的控制单元、差分互补单元、以及谐振回路单元;所述差分互补单元包括多个基本单元,所述控制单元包括控制所述基本单元的工作状态且与所述基本单元一一对应的开关单元;所述基本单元包括一组交叉耦合的PMOS管与一组交叉耦合的NMOS管,且相邻基本单元中PMOS管的宽长比以第一公比成等比数列排布,相邻基本单元中NMOS管的宽长比以第二公比成等比数列排布,所述第一公比与所述第二公比相同;所述控制单元按照预设的排列组合规则控制所述开关单元的通断以控制与所述开关单元相对应的基本单元处于工作状态或处于不工作状态以形成若干连续窄频段,所述谐振回路单元对所述连续窄频段进行调谐以使所述差分互补单元输出所述预设宽频。
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