[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201610343965.X | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107416761B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一表面和与之相对的第二表面，在所述第一表面上形成有前端器件，在所述第二表面上形成具有若干第一开口的第一掩膜层，其中所述晶圆的第二表面从所述晶圆的中心由内向外至少划分为第一区域和第二区域；在所述第一掩膜层上以及所述第二表面上形成第二掩膜层；图案化所述第二掩膜层，以露出所述第二区域中的所述第一开口；以露出的所述第一开口为掩膜蚀刻所述晶圆，以在第二区域中形成若干凹槽；去除剩余的所述第二掩膜层；以所述第一区域中的所述第一开口为掩膜原位蚀刻所述晶圆，以在所述第一区域和所述第二区域中形成深度一致的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一表面和与之相对的第二表面，在所述第一表面上形成有前端器件，在所述第二表面上形成具有若干第一开口的第一掩膜层，其中所述晶圆的第二表面从所述晶圆的中心由内向外至少划分为第一区域和第二区域；在所述第一掩膜层上以及所述第二表面上形成第二掩膜层；图案化所述第二掩膜层，以在所述第二掩膜层中形成第二开口，以露出所述第二区域中的所述第一开口；以露出的所述第一开口为掩膜蚀刻所述晶圆，以在第二区域中形成若干凹槽；去除剩余的所述第二掩膜层，以露出所述第一区域中的所述第一开口；以所述第一区域中的所述第一开口为掩膜原位蚀刻所述晶圆，同时继续蚀刻所述第二区域中的所述凹槽，以在所述第一区域和所述第二区域中形成深度一致的图案。
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