[发明专利]太阳能电池及制造太阳能电池的方法在审
| 申请号： | 201610339074.7 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107403849A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈易聪;童智圣;蔡惟鼎;廖重期;邱彦凱;林纲正;黄桂武 | 申请（专利权）人： | 昱晶能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾苗栗县竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种太阳能电池及制造太阳能电池的方法。太阳能电池包含半导体基板、入光面、射极层和电极。入光面具有多个金字塔形结构，各个金字塔形结构包含一顶端且任两相邻的金字塔形结构间具有一谷部。谷部具有一曲率半径介于25～500nm。射极层位于该半导体基板内且靠近入光面。电极位于半导体基板上。此种太阳能电池能减少金属杂质残留以提升光电转换效率以及开路电压。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，其特征在于，包含：一半导体基板，具有一入光面，该入光面具有多个凸起结构，其中各该凸起结构包含一顶端120，任两相邻的所述凸起结构间具有一谷部，该谷部具有一曲率半径介于25～500nm；一射极层，位于该半导体基板内且靠近该入光面；以及一电极，位于该半导体基板上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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