[发明专利]一种添加氟化物制备高导热氮化硅陶瓷的方法在审
| 申请号： | 201610337729.7 | 申请日： | 2016-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107399974A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张红冉;刘久明 | 申请（专利权）人： | 河北高富氮化硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/634 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 054300 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 该发明属于陶瓷材料制备技术领域，涉及一种添加氟化物制备高导热氮化硅陶瓷的方法。本发明中以α‑Si3N4为原料，以氮化硅镁和稀土氟化物的混合物为烧结助剂，助剂的添加量为1～15wt%。首先用纳米TiC对Si3N4粉末进行表面改性的预处理，将处理后的原料、助剂、粘结剂、晶种、消泡剂、溶剂放入球磨罐中混合均匀，再加入分散剂进行二次球磨，球磨后的混合浆料经过烘干、造粒、成型、烧结、热处理过程制备得到高导热氮化硅陶瓷。本发明通过添加稀土金属氟化物来避免助剂中的氧进入氮化硅陶瓷的晶格中，减少了晶格氧杂质含量对陶瓷热导率的不利影响，制备得到的氮化硅陶瓷具有较高的热导率，在电子封装材料领域具有巨大的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 添加 氟化物 制备 导热 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
一种添加氟化物制备高导热氮化硅陶瓷的方法，其特征在于：（1）以α‑Si3N4为原料，以氮化硅镁和稀土氟化物的混合物为烧结助剂，助剂的添加量为1～15wt%；（2）首先用纳米TiC对原料Si3N4粉末进行表面改性的预处理，将处理后的原料、烧结助剂、粘结剂、晶种、消泡剂、溶剂放入球磨罐中混合均匀，再加入分散剂进行二次球磨，球磨后的混合浆料经过烘干、造粒、成型、烧结、热处理过程制备得到高导热氮化硅陶瓷。
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