[发明专利]一种测量纳米结构表面电荷分布的方法有效
| 申请号： | 201610336946.4 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107402184B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 王江涛;金翔;柳鹏;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/00 | 分类号： | G01N21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种观测纳米结构表面电荷分布的方法，包括以下步骤：S1，提供一待测样品，该待观测样品设置于一绝缘基底表面；S2，在该待测样品的表面及周边形成一层带电纳米微粒；S3，向该待测样品表面通入蒸气；以及S4，利用光学显微镜观测所述带电纳米微粒在所述待测样品周边的分布情况，判断所述待测样品的表面电荷分布。利用本发明提供的方法可以更加高效、简便、低成本的获得纳米结构表面电荷分布情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 纳米 结构 表面 电荷分布 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量纳米结构表面电荷分布的方法，包括以下步骤：/nS1，提供一待测样品，所述待测样品具有纳米结构，该待测样品设置于一绝缘基底表面；/nS2，向该待测样品表面喷射第一带电纳米微粒；/nS3，向该待测样品表面通入蒸气，利用光学显微镜观测所述第一带电纳米微粒在所述待测样品周边的分布情况，若所述第一带电纳米微粒在所述待测样品处形成一暗线，则记录该暗线的宽度并执行步骤S6，否则执行步骤S4；/nS4，向该待测样品表面喷射第二带电纳米微粒，该第二带电纳米微粒与所述第一带电纳米颗粒电性相反；/nS5，向该待测样品表面通入蒸气，记录所述第二带电纳米微粒在所述待测样品处形成的暗线的宽度；以及/nS6，根据公式
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610336946.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
