[发明专利]应用于MRAM的尖峰电流旁路保护控制装置在审
| 申请号： | 201610332706.7 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107404112A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张玲月;黄鹏如;洪奇正 | 申请（专利权）人： | 来扬科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 王程,何冲 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种应用于MRAM的尖峰电流旁路保护控制装置，在多个磁性记忆元件所组成的记忆元件阵列中，针对每一列磁性记忆元件并联一旁路单元，以在对前述记忆元件阵列中的磁性记忆元件读写时，在选择开关导通的瞬间，通过该磁性记忆元件所并联的旁路单元，以将流经该磁性记忆元件上的尖峰电流导出。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 mram 尖峰 电流 旁路 保护 控制 装置 | ||
【主权项】：
一种应用于MRAM的尖峰电流旁路保护控制装置，该MRAM受控于源极线控制电路、地址切换电路单元、位线控制电路以及读取电流控制单元来被进行读写操作，且该MRAM具有记忆元件阵列，该记忆元件阵列由多行磁性记忆元件及多列磁性记忆元件所构成，每一磁性记忆元件包括位线控制端、字符线控制端以及源极线控制端，该尖峰电流旁路保护控制装置包括：位线，其与所述位线控制电路连接，且每一列的各所述磁性记忆元件的位线控制端与该位线连接；字符线，其与所述地址切换电路单元连接，且每一行的各所述磁性记忆元件的字符线控制端与该字符线连接；以及旁路单元，在各列磁性记忆元件配置该旁路单元，且该配置的旁路单元与所述列磁性记忆元件的位线控制端与源极线控制端连接。
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