[发明专利]一种增益随温度正斜率变化的CMOS正交混频器电路

摘要

一种增益随温度正斜率变化的CMOS正交混频器电路，它包括基于Gilbert单元的正交混频器电路主体结构、开关控制负反馈电路和温度自适应控制电路，开关控制负反馈电路与正交混频器电路主体结构连接，温度自适应控制电路与开关控制负反馈电路连接。本发明根据工作温度变化实时采样片上温度信息，通过温度自适应控制电路改变正交混频器源级负反馈的大小，从而改变正交混频器转换增益，工作温度升高时，温度自适应控制电路逐渐减小源级负反馈等效电阻的大小，在补偿电路等效跨导随温度升高而降低所引起的增益降低的基础上，进一步使得混频器增益随温度升高而增大，即增益随温度正斜率变化，从而有效补偿射频电路与系统中因工作温度升高而增益降低问题。

主权项

1.一种增益随温度正斜率变化的CMOS正交混频器电路，它包括基于Gilbert单元的正交混频器电路主体结构，其特征在于：CMOS正交混频器电路还包括开关控制负反馈电路(1)和温度自适应控制电路(2)，所述开关控制负反馈电路(1)与正交混频器电路主体结构连接，所述温度自适应控制电路(2)与开关控制负反馈电路(1)连接，所述开关控制负反馈电路(1)包括多晶硅电阻R1、多晶硅电阻R2、多晶硅电阻R3、多晶硅电阻R4、MOS开关M1、MOS开关M2、MOS开关M3以及MOS开关M4，所述多晶硅电阻R1、多晶硅电阻R2、多晶硅电阻R3以及多晶硅电阻R4依次串行连接，所述MOS开关M1的漏极和源极分别与多晶硅电阻R1左右两端连接，所述MOS开关M2的漏极和源极分别与多晶硅电阻R2左右两端连接，所述MOS开关M3的漏极和源极分别与多晶硅电阻R3左右两端连接，所述MOS开关M4的漏极和源极分别与多晶硅电阻R4左右两端连接，所述MOS开关M1的栅极、MOS开关M2的栅极、MOS开关M3的栅极以及MOS开关M4的栅极均与温度自适应控制电路(2)连接，所述温度自适应控制电路(2)包括第一误差放大器(3)、第二误差放大器(4)、第三误差放大器(5)以及第四误差放大器(6)，所述第一误差放大器(3)与MOS开关M1的栅极连接，所述第二误差放大器(4)与MOS开关M2的栅极连接，所述第三误差放大器(5)与MOS开关M3的栅极连接，所述第四误差放大器(6)与MOS开关M4的栅极连接。