[发明专利]一种基于拉锥自组装的多芯光纤耦合器制备方法

摘要

本发明公开了一种基于拉锥自组装的多芯光纤耦合器制备方法，包括如下步骤：单模光纤预处理，制备单模光纤束端，玻璃套管拉锥，玻璃套管切割及熔接；将若干前端已被腐蚀而后端仍带有涂覆层的单模光纤完全插入玻璃套管中，然后将玻璃套管竖直，使用氢氧焰对玻璃套管进行拉锥，拉锥位置为单模光纤已被腐蚀的部分，再对锥区部分进行切割抛光，最后直接与多芯光纤熔接，完成多芯光纤耦合器制备。本发明提供的基于拉锥自组装的多芯光纤耦合器制备方法，具有可扩展性好，成品率高，工艺简洁，操作简单的特点。

主权项

1.一种基于拉锥自组装的多芯光纤耦合器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)剥除N根单模光纤的涂覆层后获得N根第一中间件，对N根所述第一中间件进行腐蚀处理后获得N根第二中间件；所述第二中间件分为三段，前端为腐蚀部分；中部为剥除层部分；尾部为包含涂覆层的尾纤；(2)将N根第二中间件同时插入玻璃套管中，使其前端与中部均位于玻璃套管中，并在玻璃套管尾端对N根第二中间件尾部光纤点胶固定后获得第三中间件；(3)将第三中间件竖直放置，采用氢氧焰对玻璃套管进行拉锥处理后获得第四中间件，所述第四中间件中玻璃套管在被拉锥后孔径变小，且前端腐蚀部分的光纤由松散排列变为紧密排列，其光纤排列几何与多芯光纤纤芯排列几何相同，大小形状完全相同；(4)将所述第四中间件的锥区部分进行切割抛光后，与多芯光纤熔接后获得多芯光纤耦合器；步骤(3)中所述拉锥处理的工艺条件包括：氢氧焰温度为2500摄氏度～3000摄氏度，拉锥位置对应N根第二中间件前端部分；拉锥速度为每毫秒拉锥0.2微米～1微米，拉锥时间为30秒～60秒。