[发明专利]一种片上集成型偏振分束器及其偏振分束方法有效
| 申请号： | 201610327845.0 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105759355B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 肖金标;徐银 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126;G02B6/122 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种片上集成型偏振分束器及其偏振分束方法，包括混合等离子波导，位于混合等离子波导同一侧、依次串联且厚度相同的耦合波导、S弯型波导和输出硅波导；混合等离子波导从上至下分为金属覆盖层、上二氧化硅层、氮化硅波导层、下二氧化硅层和硅波导层；耦合波导、S弯型波导和输出硅波导的厚度与硅波导层的厚度相同；耦合波导为硅波导。包含有横电模和横磁模的输入信号在进入耦合区后，横电模光信号将被耦合至taper型耦合波导，进而通过S弯型波导及输出硅波导进行输出，而横磁模光信号将直接沿着混合等离子波导传输并直接输出，不发生波导耦合。本发明具有尺寸小、结构紧凑、偏振消光比高、插入损耗低、工作带宽较大等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 上集 成型 偏振 分束器 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种片上集成型偏振分束器，其特征在于包括：衬底（5），衬底（5）上设置有混合等离子波导（1），厚度相同的耦合波导（2）、 S弯型波导（3）和输出硅波导（4）；耦合波导（2）、S弯型波导（3）和输出硅波导（4）依次串联并位于混合等离子波导（1）的同一侧；混合等离子波导（1）从上至下分为金属覆盖层（1‑5）、上二氧化硅层（1‑4）、氮化硅波导层（1‑3）、下二氧化硅层（1‑2）和硅波导层（1‑1）；耦合波导（2）、S弯型波导（3）和输出硅波导（4）的厚度与硅波导层（1‑1）的厚度相同；耦合波导（2）为硅波导。
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