[发明专利]一种阵列碳纳米薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610326454.7 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107381539B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张伟;吉小超;于鹤龙;王红美;杜军;郭蕾 | 申请（专利权）人： | 北京睿曼科技有限公司;河北京津冀再制造产业技术研究有限公司;中国人民解放军装甲兵工程学院 |
| 主分类号： | C01B32/162 | 分类号： | C01B32/162 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 100043 北京市石景山*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阵列碳纳米管薄膜的制备方法，包括以下步骤：将基底置于PECVD腔体中的金属网罩中，金属网罩上方放置依次叠加的两块催化剂金属板；在PEVCD腔体中通入反应气体，加热后接通电源，反应后在基底表面得到催化剂薄膜；将PEVCD腔体加热后通入碳源和载气，接通电源，反应后在基底表面得到阵列碳纳米管薄膜。本申请催化剂薄膜和阵列碳纳米管薄膜在同一PECVD腔体内完成，且能够实现连续制备，提高了阵列碳纳米管薄膜制备的效率；另一方面，低温制备使得阵列碳纳米管薄膜能够应用于很多不耐高温的领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列碳纳米管薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)，将基底置于PECVD设备的腔体中负极板上的金属网罩中，金属网罩上方放置叠加的两块催化剂金属板；B)，在PEVCD设备的腔体中通入反应气体，加热后接通电源，利用催化剂板间的空心阴极效应溅射在基底表面得到催化剂薄膜；C)，将PEVCD设备的腔体加热后通入碳源和载气，接通电源，反应后在基底表面得到阵列碳纳米管薄膜；步骤A)中所述反应气体为的氢气和氩气，所述反应温度为300～500℃，所述电源的功率为500～1000W；所述氢气的流量为30～80sccm，所述氩气的流量为30～80sccm。
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