[发明专利]一种二硒化铂面内拼图结构材料及其制备与调制方法有效
| 申请号： | 201610324477.4 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107720838B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王业亮;邵岩;武旭;朱诗雨;王裕祺;刘中流;高鸿钧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01G55/00 | 分类号： | C01G55/00 |
| 代理公司： | 11390 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硒化铂(PtSe2)面内拼图结构材料，所述的二硒化铂(PtSe2)面内拼图结构材料同时包含两种构型：三棱柱型构型(H型)和八面体型构型(T型)，且所述的三棱柱型构型(H型)和八面体型构型(T型)均形成三角形的结构域，且所述的三棱柱型构型(H型)所形成的结构域与所述的八面体型构型(T型)所形成的结构域在基底表面相互交替并周期性扩展。本发明通过分子束外延方法生长出了大面积由二维二硒化铂晶态材料两种构型组成的面内拼图结构，并可对其进行调制，大大方便了进一步研究二维二硒化铂晶态材料在纳米电子器件方面的应用开发。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硒化铂面内 拼图 结构 材料 及其 制备 调制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二硒化铂面内拼图结构材料，其特征在于，所述的二硒化铂面内拼图结构材料同时包含两种构型：三棱柱型构型和八面体型构型，且所述的三棱柱型构型和八面体型构型均形成三角形的结构域，且所述的三棱柱型构型所形成的结构域与所述的八面体型构型所形成的结构域在基底表面相互交替并周期性扩展；/n所述二硒化铂面内拼图结构材料的调制方法，包括如下步骤：/n1)在真空环境下，将适量高纯度硒蒸发沉积到过渡金属铂基底上；/n2)对步骤1)得到的过渡金属铂基底在预设退火温度下进行退火处理，以使覆盖在所述的过渡金属铂基底上的硒原子与过渡金属铂基底上的铂原子发生相互作用，同时形成两种构型：三棱柱型构型和八面体型构型，且所述的三棱柱型构型和八面体型构型均形成三角形的结构域，所述的三棱柱型构型所形成的结构域与所述的八面体型构型所形成的结构域在所述的过渡金属铂基底表面相互交替形成有序的面内拼图构型；/n通过调节所述的预设退火温度控制所述的三棱柱型构型和八面体型构型的单个三角形的结构域的大小；/n或通过调节初始硒蒸发沉积量控制所述的三棱柱型构型的结构域的密度；/n或通过在预设去除温度下进行退火去除硒原子，使得所述的八面体型构型的二硒化铂转化为所述的面内拼图构型的二硒化铂；/n或上述方法的任意组合。/n
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