[发明专利]一种二硒化铂面内拼图结构材料及其制备与调制方法

权利要求书

1.一种二硒化铂面内拼图结构材料，其特征在于，所述的二硒化铂面内拼图结构材料同时包含两种构型：三棱柱型构型和八面体型构型，且所述的三棱柱型构型和八面体型构型均形成三角形的结构域，且所述的三棱柱型构型所形成的结构域与所述的八面体型构型所形成的结构域在基底表面相互交替并周期性扩展；

所述二硒化铂面内拼图结构材料的调制方法，包括如下步骤：

1)在真空环境下，将适量高纯度硒蒸发沉积到过渡金属铂基底上；

2)对步骤1)得到的过渡金属铂基底在预设退火温度下进行退火处理，以使覆盖在所述的过渡金属铂基底上的硒原子与过渡金属铂基底上的铂原子发生相互作用，同时形成两种构型：三棱柱型构型和八面体型构型，且所述的三棱柱型构型和八面体型构型均形成三角形的结构域，所述的三棱柱型构型所形成的结构域与所述的八面体型构型所形成的结构域在所述的过渡金属铂基底表面相互交替形成有序的面内拼图构型；

通过调节所述的预设退火温度控制所述的三棱柱型构型和八面体型构型的单个三角形的结构域的大小；

或通过调节初始硒蒸发沉积量控制所述的三棱柱型构型的结构域的密度；

或通过在预设去除温度下进行退火去除硒原子，使得所述的八面体型构型的二硒化铂转化为所述的面内拼图构型的二硒化铂；

或上述方法的任意组合。

2.如权利要求1所述的二硒化铂面内拼图结构材料，其特征在于，所述的预设退火温度为250℃～400℃。

3.如权利要求1所述的二硒化铂面内拼图结构材料，其特征在于，所述的预设去除温度为400℃～500℃。

4.一种制备如权利要求1所述的二硒化铂面内拼图结构材料的方法，其特征在于，1)在真空环境下，将适量高纯度硒蒸发沉积到过渡金属铂基底上；

2)对步骤1)得到的过渡金属铂基底在预设退火温度下进行退火处理，以使覆盖在所述的过渡金属铂基底上的硒原子与过渡金属铂基底上的铂原子发生相互作用，同时形成两种构型：三棱柱型构型和八面体型构型，所述三棱柱构型是通过原八面体型二硒化铂顶层的硒原子会发生脱附形成硒原子空位，随着空位的增多，空位会聚合在一起形成线缺陷，由于该材料结构的三重对称性，线缺陷会沿三个方向生长，最终形成三角形的三条边，为了保证体系能量最低，三角形内部原八面体型二硒化铂的上层硒原子层产生平移形成的；

且所述的三棱柱型构型和八面体型构型均形成三角形的结构域，所述的三棱柱型构型所形成的结构域与所述的八面体型构型所形成的结构域在所述的过渡金属铂基底表面相互交替形成有序的面内拼图构型；

所述的高纯度硒通过物理气相沉积的方法蒸发到所述的过渡金属铂基底上；

所述的面内拼图构型生长在所述的过渡金属铂基底的面；

所述的的预设退火温度为250℃～400℃；

所述的三棱柱型构型和八面体型构型在所述的过渡金属铂基底的面均形成三角形的结构域和周期为1.1nm的超结构，所述的超结构能被扫描隧道显微镜和低能电子衍射仪所表征；

所述的三棱柱型构型和八面体型构型的最顶层原子排布可以被扫描隧道显微镜所表征。