[发明专利]高可靠低读电压一次性编程存储器

摘要

高可靠低读电压一次性编程存储器，涉及集成电路技术，本发明包括第一MOS管、第二MOS管、反熔丝元件；第一MOS管的栅端接第二连接线WS，其第一连接端通过反熔丝元件连接第一连接线WP，第二连接端接第三连接线BL；第二MOS管的第一连接端接第四连接线BR，第二连接端接第三连接线BL；还包括一个限压器件，其具有一个控制端和两个连接端，其控制端连接一条控制信号线WB，其一个连接端连接反熔丝器件和第一MOS管的连接点，另一个连接端连接第二MOS管的栅端。本发明解决了现有技术的高压冲击所引起的关键路径的器件损坏、退化而难题，避免了可能导致的漏电隐患(高压对第二MOS管栅端的冲击)，提高了器件的可靠性。

主权项

高可靠低读电压一次性编程存储器，包括第一MOS管(1)、第二MOS管(2)、反熔丝元件(4)；第一MOS管(1)的栅端接第二连接线(WS)，其第一连接端通过反熔丝元件(4)连接第一连接线(WP)，第二连接端接第三连接线(BL)；第二MOS管(2)的第一连接端接第四连接线(BR)，第二连接端接第三连接线(BL)；其特征在于，还包括一个限压器件，其具有一个控制端和两个连接端，其控制端连接一条控制信号线，其一个连接端连接反熔丝器件(4)和第一MOS管(1)的连接点，另一个连接端连接第二MOS管(2)的栅端。