[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件的制造方法。提高了半导体器件的可靠性。在制造方法中，在圆形半导体衬底上方形成待处理膜，并且在其上方形成其表面具有抗水性质的抗蚀剂膜。随后，通过对半导体衬底的外周区域选择性执行第一晶片边缘曝光，降低圆形半导体衬底的外周区域中的抗蚀剂层的抗水性质，然后对抗蚀剂层执行液体浸没曝光。随后，对圆形半导体衬底的外周区域执行第二晶片边缘曝光，然后，将对已经被执行第一晶片边缘曝光、液体浸没曝光和第二晶片边缘曝光的抗蚀剂层显影，使得通过使用显影的抗蚀剂层来蚀刻待处理膜。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)提供外周为大致圆形的半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上方形成待处理膜；(c)在所述待处理膜上方形成化学增幅抗蚀剂层；(d)执行第一晶片边缘曝光，在所述第一晶片边缘曝光中，用第一曝光用光照射位于与所述半导体衬底的所述外周相距第一宽度的区域中的所述化学增幅抗蚀剂层；(e)执行液体浸没曝光，在所述液体浸没曝光中，用第二曝光用光照射所述化学增幅抗蚀剂层；(f)执行第二晶片边缘曝光，在所述第二晶片边缘曝光中，用第三曝光用光照射位于与所述半导体衬底的所述外周相距第二宽度的区域中的所述化学增幅抗蚀剂层；(g)在所述步骤(f)之后，将所述化学增幅抗蚀剂层显影，以通过去除位于用所述第二曝光用光和所述第三曝光用光照射的区域中的所述化学增幅抗蚀剂层，形成具有第一图案的抗蚀剂图案；以及(h)在所述步骤(g)之后，蚀刻所述待处理膜，使得所述待处理膜具有所述第一图案。