[发明专利]基于c切割晶体制备高功率激光头的方法

摘要

一种基于c切割晶体制备高功率激光头的方法，利用c切割晶体作为增益介质，使得晶体c轴方向与通光方向平行，泵浦光学器件将泵浦源出射的泵浦光汇聚到c切割方式的晶体中心，冷却装置对晶体的侧面进行冷却。本发明的特点是：巧妙利用了c切割方式晶体的材料性质，使得晶体对泵浦光的吸收更加均匀，并对内部废热的承受程度更高，从而使得激光头可以承受更高的泵浦功率，以实现高功率激光头。本发明具有简单易行，实用性强的特点。

主权项

一种基于c切割晶体制备高功率激光头的方法，所述的高功率激光头包括c切割方式的晶体(1)、冷却装置(2)、泵浦源(3)和泵浦光学器件(4)，其特征在于该方法包括下列步骤：①将所述的c切割方式的晶体(1)固定在所述的冷却装置(2)中使所述的c切割方式的晶体(1)的c轴方向与所述的冷却装置(2)的轴重合；②利用冷却装置对所述的晶体(1)的侧面进行冷却，使热传导的方向和所述的晶体的a轴方向一致；③依次设置所述的泵浦源(3)、泵浦光学器件(4)和所述的冷却装置(2)，使所述的泵浦源(3)的输出光方向依次是所述的泵浦光学器件(4)和c切割方式的晶体(1)，调整所述的泵浦源(3)、泵浦光学器件(4)和所述的冷却装置(2)，经所述的泵浦光学器件(4)后的泵浦光汇聚到所述的c切割方式的晶体(1)的中心区域，且泵浦光的焦点和所述的c切割方式的晶体(1)的入射表面重合；④将所述的c切割方式的晶体(1)、冷却装置(2)、泵浦源(3)和泵浦光学器件(4)固定。