[发明专利]单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法有效
| 申请号： | 201610293810.X | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN106446493B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 崔苑苑;陈兰丽;刘斌;罗宏杰;高彦峰 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G16C20/80 | 分类号： | G16C20/80;G16C20/10 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法包括以下步骤：S1，单斜相二氧化钒点缺陷模型的构建；S2，缺陷形成能的计算模拟；S3，结果处理与分析。本发明明确了二氧化钒本征点缺陷与氧分压的关系，通过高通量模拟表征点缺陷的原子微结构和电子行为，对增强VO2薄膜的抗氧化能力、提高可见光透过率，调控VO2的金属绝缘体转变温度有重要意义，为智能窗的实际应用起到积极作用。 | ||
| 搜索关键词： | 单斜 氧化 材料 点缺陷 形成 通量 模拟 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法，其特征在于，所述单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法包括以下步骤：S1，单斜相二氧化钒点缺陷模型的构建：利用晶体结构可视化软件构建二氧化钒超胞模型，并借助该晶体结构可视化软件将二氧化钒超胞模型转换为三维原子坐标文件；S2，缺陷形成能的计算模拟：设置点缺陷输入文件，进行结构优化，生成稳定结构的三维原子坐标文件，并将其重命名后作为静态自洽计算的输入文件；静态自洽计算，生成电荷密度数据文件；在静态自洽计算的基础上，设置输入参数，进行电子特性计算；分析计算得到的最优化结构，得到点缺陷形成能；S3，结果处理与分析：通过晶体结构可视化软件显示优化后体系结构，分析晶格常数及键长键角的变化；绘制电荷密度图、态密度图和能带结构图，分析点缺陷形成能；分析体积及能量，为智能窗的设计提供理论指导；所述电子特性计算的计算流程为首先进行结构优化，然后静态自洽计算，在生成的电荷密度数据文件的基础上进行特性计算；所述单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法采用筛选方法，筛选方法是基于密度泛函的第一性原理计算，筛选对象是单斜相二氧化钒的本征点缺陷。
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