[发明专利]一种基于硅纳米线阵列的自驱动肖特基结近红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于硅纳米线阵列的自驱动肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于是在硅基底的表面通过银辅助的化学刻蚀法形成有硅纳米线阵列；在硅纳米线的外表面通过液相还原反应均匀包覆有金属铜膜；金属铜膜与硅纳米线形成肖特基结；在硅基底的背面刷涂有In/Ga导电胶层，与硅基底形成欧姆接触。本发明的肖特基结近红外光电探测器，制备过程简单易行，器件性能优越。

主权项

一种基于硅纳米线阵列的自驱动肖特基结近红外光电探测器，其特征在于：是在硅基底(1)的表面通过银辅助的化学刻蚀法形成有硅纳米线阵列(2)；在硅纳米线的外表面通过液相还原反应均匀包覆有金属铜膜(3)；所述金属铜膜与所述硅纳米线形成肖特基结；在所述硅基底(1)的背面刷涂有In/Ga导电胶层(4)，与硅基底形成欧姆接触；所述自驱动肖特基结近红外光电探测器的制备方法，包括如下步骤：(1)将硅基底依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗后，吹干备用；(2)将硅基底放入金属化溶液中1min，使硅基底表面沉积上Ag颗粒；所述金属化溶液中含4.8mol/L的HF和5mmol/L的AgNO3；然后将表面沉积有Ag颗粒的硅基底放入刻蚀溶液中刻蚀20～30min，形成硅纳米线阵列，所述刻蚀溶液中含4.8mol/L的HF和0.4mol/L的H2O2；待刻蚀完成后，将表面形成有硅纳米线阵列的硅基底放入由浓HNO3和去离子水按体积比1:1构成的清洗溶液中2h，去除表面的Ag颗粒；最后取出硅基底，去离子水冲洗干净后放入50℃的恒温干燥箱中烘干，即完成硅纳米线阵列的制备；(3)在聚四氟乙烯的反应釜中加入15mL去离子水、0.05g Cu(NO3)2·3H2O，磁力搅拌均匀，再依次加入2mL乙二醇和1mL水合肼，并放入硅基底；把反应釜放入预热至100℃的恒温干燥箱中反应30～45min，使硅纳米线的外表面均匀包覆上金属铜膜；(4)将硅基底清洗、干燥，在硅基底背面打磨、刷涂一层In/Ga导电胶层，即获得基于硅纳米线阵列的自驱动肖特基结近红外光电探测器。