[发明专利]背面保护薄膜、一体型薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201610273102.X | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN106084597A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 高本尚英;木村龙一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C08L33/00 | 分类号： | C08L33/00;C08L63/00;C08L61/06;C08K3/36;C08J5/18;C09J7/02;C09J7/04;C09J133/00;B32B25/12;B32B27/30;B32B27/34;B32B27/28;B32B27/36 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供背面保护薄膜、一体型薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。提供能够用红外线照相机隔着背面保护薄膜捕捉半导体元件的裂纹的背面保护薄膜等。涉及一种背面保护薄膜，其用于保护半导体元件的背面，波长800nm的平行光线透过率为15％以上。背面保护薄膜的波长800nm的平行光线透过率相对于波长532nm的平行光线透过率之比优选为2以上。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 保护 薄膜 体型 半导体 装置 制造 方法 芯片 | ||
【主权项】：
一种背面保护薄膜，其用于保护半导体元件的背面，波长800nm的平行光线透过率为15％以上。
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