[发明专利]一种晶体管、电荷泵组件以及电荷泵

摘要

本发明实施例公开了一种晶体管、电荷泵组件以及电荷泵，该晶体管外部接入端包括源极在内的至少两个接入端，其内部形成有至少一个等效二极管，与其中一个接入端相连，与所述等效二极管相连的接入端作为中间电压输入端，其他所述接入端作为高电压输入端，其中，所述高电压输入端的允许输入电压高于中间电压输入端的允许输入电压，且所述中间电压输入端的允许输入电压小于所述等效二极管的击穿电压。与现有的晶体管相比，本发明实施例提供的晶体管允许输入的电压较高，将其应用于电荷泵中，可以达到提高电荷泵输出电压的目的。

主权项

1.一种电荷泵组件，其特征在于，包括至少一个晶体管，各所述晶体管的高电压输入端和中间电压输入端分别与不同的电源输入端相连；所述晶体管的外部接入端包括源极在内的至少两个接入端，其内部形成有第一等效二极管和第二等效二极管，所述第一等效二极管与其中一个接入端相连，与所述第一等效二极管相连的接入端作为中间电压输入端，其中，所述高电压输入端的允许输入电压高于中间电压输入端的允许输入电压；所述晶体管的内部结构具体包括：P型衬底，在所述P型衬底中形成的深N阱，在所述深N阱中形成的P阱，从所述P阱中引出的体偏置端，在所述P阱中形成的源区和漏区，从所述深N阱引出的深N阱引出端，从所述源区中引出的源极，从所述漏区中引出的漏极，以及栅极；其中，所述深N阱与所述P型衬底之间形成第一等效二极管，所述源区和所述P阱之间形成第二等效二极管；所述源极作为所述高电压输入端，所述体偏置端以及深N阱引出端作为所述中间电压输入端；所述中间电压输入端的允许输入电压小于所述第一等效二极管的击穿电压；所述高电压输入端的允许输入电压小于所述中间电压输入端实际输入电压与所述第二等效二极管的击穿电压之和；所述电荷泵组件，包括六个所述晶体管、四个电容以及四个时钟，分别为：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一时钟、第二时钟、第三时钟以及第四时钟；所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管的高电压输入端电连接后作为所述电荷泵组件的第一电压输入端，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管以及所述第六晶体管的中间压输入端电连接后作为所述电荷泵组件的第二电压输入端；所述第一晶体管的漏极与所述第一电容的第一端电连接，所述第一晶体管的栅极与所述第二电容的第一端电连接；所述第二晶体管的漏极与所述第二电容的第一端电连接，所述第二晶体管的栅极与所述第三电容的第一端电连接；所述第三晶体管的漏极与所述第三电容的第一端电连接，所述第三晶体管的栅极与所述第二电容的第一端电连接；所述第四晶体管的漏极与所述第四电容的第一端电连接，所述第四晶体管的栅极与所述第三电容的第一端电连接；所述第五晶体管的源极和栅极与所述第一电容的第一端电连接；所述第六晶体管的源极和栅极与所述第四电容的第一端电连接；所述第一电容的第二端与所述第一时钟电连接；所述第二电容的第二端与所述第三时钟电连接；所述第三电容的第二端与所述第四时钟电连接；所述第四电容的第二端与所述第二时钟电连接；所述第五晶体管的漏极与所述第六晶体管的漏极电连接后作为所述电荷泵组件的输出端。