[发明专利]杂原子取代萘酰亚胺类聚合物半导体及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201610272396.4 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105820316B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 陈华杰;殷志红;赵志远;刘云圻 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 411105 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种杂原子取代萘酰亚胺类聚合物半导体及其制备方法与应用。该聚合物如式I所示。本发明提供的单体及其共聚物的合成路线简单高效、原材料广泛易得、开发成本低廉，合成方法具有非常好的普适性和重复性等优点，可以推广应用到其他各类杂原子取代NDI共聚物半导体的合成。以本发明以此类NDI共聚物半导体作为活性层薄膜制备的FETs展现出空前高的载流子迁移率，其最大空穴和电子迁移率分别达到1.7和8.5cm2/V·s，充分展示了该类聚合物半导体在柔性有机电子学领域中应用的优良潜力。 |
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| 搜索关键词： | 原子 取代 亚胺 类聚 半导体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.式I所示共聚物，![]()
所述式I中，所述R选自碳原子总数为8‑20的直链烷基和碳原子总数为8‑40的支链烷基中的任意一种；Ar为硒吩基；X为氧原子、硫原子或硒原子；Y和Z相同或不同；其中，Y和Z相同时，均为氢或氟；Y和Z不同时，选自氟原子和氢原子中的任意一种，且二者中必须有一个为氟原子；n为10‑300的整数。
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