[发明专利]高压N型LDMOS器件及工艺方法

摘要

本发明公开了一种高压N型LDMOS器件，在P型衬底中具有分为第一及第二两段的N型深阱，第一N型深阱中包含有P阱，P阱中具有LDMOS器件的源区及重掺杂P型区；第二N型深阱位于场氧之下且包含有LDMOS器件的漏区；源区与场氧之间的硅表面具有栅氧化层及覆盖在栅氧化层之上的多晶硅栅极，靠近漏端的场氧之上还覆盖漏端多晶硅场板；所述的第一N型深阱及第二N型深阱中还具有P型注入层，且P型注入层在第二N型深阱中分为两段或者多段，靠近源区的P型注入层与第一N型深阱中的P型注入层具有相同的杂质注入剂量，第二N型深阱中靠近漏区的P型注入层的杂质注入剂量大于靠近源区的P型注入层。本发明还公开了所述高压N型LDMOS器件的工艺方法。

主权项

1.一种高压N型LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：步骤1，在P型衬底上离子注入形成N型深阱；步骤2，光刻打开场氧区域，刻蚀场氧区，生长场氧；步骤3，光刻打开阱注入区，离子注入形成P阱；步骤4，进行两次或两次以上的P型注入层注入，越靠近漏端注入剂量越高；步骤5，生长栅氧化层，淀积多晶硅并刻蚀形成多晶硅栅极以及漏端多晶硅场板；步骤6，进行源区及漏区注入，以及P阱中重掺杂P型区注入；步骤7，淀积层间介质，刻蚀接触孔，淀积金属引出各电极。