[发明专利]一种应用于无源超高频射频识别标签芯片的解调电路有效

专利信息
申请号: 201610267759.5 申请日: 2016-04-27
公开(公告)号: CN105956647B 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: 唐明华;梁赛儿;杨黎 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: G06K19/07 分类号: G06K19/07
代理公司: 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 代理人: 颜昌伟
地址: 411105 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种应用于无源超高频射频识别标签芯片的解调电路,包括依次串接的包络检波电路、限压电路、低通滤波电路、参考电平产生与比较输出电路。本发明的包络检波电路采用有源包络检波的方法,将调制在高频载波上的基带信号还原出来,还原的包络信号经限压电路被限制在后级电路的共模输入范围内,然后经低通滤波电路滤除高频载波以及环境中的噪声信号,再输入到参考电平产生与比较输出电路中与参考电平相比较输出数字信号,给数字基带处理,具有高灵敏度、低功耗、面积较小的优点。
搜索关键词: 一种 应用于 无源 超高频 射频 识别 标签 芯片 解调 电路
【主权项】:
1.一种应用于无源超高频射频识别标签芯片的解调电路,其特征在于:包括依次串接的包络检波电路、限压电路、低通滤波电路、参考电平产生与比较输出电路,所述包络检波电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容,第一PMOS管、第二PMOS管的源极接高电平,第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极相连,并与外部偏置电压相连;第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连并连接到第一NMOS管的栅极;第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极相连;第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极、第六NMOS管的栅极相连并连接到第五电容一端;第五电容另一端与第一射频输入端相连;第二NMOS管的源极与第六NMOS管的源极相连并连接到地;第二PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极相连并连接到第三NMOS管的栅极;第三NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极相连;第三NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极相连并连接到第二电容一端;第二电容另一端与第二射频输入端连接;第四NMOS管的源极、第五NMOS管的源极、第六NMOS管的漏极相连并连接到第四电容一端;第四电容另一端与第三射频输入端相连;第三电容一端与第五NMOS管的源极相连,第三电容另一端与第五NMOS管的栅极相连;第五NMOS管的漏极与限压电路相连;第一电容的一端与第五NMOS管的漏极相连,第一电容的另一端与第四射频输入端相连,其中第一射频输入端与第二射频输入端互为差分输入信号端,第三射频输入端与第四射频输入端互为差分输入信号端。
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