[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法有效
申请号: | 201610262057.8 | 申请日: | 2016-04-26 |
公开(公告)号: | CN105958956B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 钟慧;霍振选;张睿;秦康宁;杨泰;张根;石玉 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/17 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 李明光 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于射频微机电系统技术领域,具体提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法;所述薄膜体声波谐振器包括衬底、依次设置在衬底上的底电极、压电层及顶电极,所述衬底上开设有凹槽,衬底上表面及凹槽内设置低声阻抗层,所述底电极、压电层及顶电极均设置于所述低声阻抗层上,所述底电极为由低声阻抗层上依次层叠的高电导率电极层和高声阻抗电极层构成的复合底电极。本发明提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法,该谐振器性能优良,制备工艺难度和复杂度均极大简化,显著提高薄膜体声波谐振器生产合格率,大大降低生产成本、缩短生产周期,有利于工业化生产,对拓宽应用领域有着极其重要的意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜体声波谐振器,包括衬底(1)、依次设置在衬底上的底电极(5)、压电层(6)及顶电极(7),其特征在于,所述衬底(1)上开设有凹槽,衬底上表面及凹槽内设置低声阻抗层(2),所述底电极(5)、压电层(6)及顶电极(7)均设置于所述低声阻抗层(2)上,所述底电极(5)为由低声阻抗层(2)上依次层叠的高电导率电极层(3)和高声阻抗电极层(4)构成的复合底电极。
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