[发明专利]硅基微结构温热处理成形多样性控制方法

摘要

本发明公开了硅基微结构温热处理成形多样性控制方法一增大α＝Ds/D值，在同一温度环境中对样本热处理，得第一硅基微结构；二增大α＝Ds/D值，与步骤一相同温度下，对样本进行热处理与步骤一相同时间，得第二硅基微结构；三增大α＝Ds/D值，同第二步骤的温度及时间，得第三硅基微结构；四增大tanθ＝(D+Ds)/H值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得第四硅基微结构；五增大tanθ＝(D+Ds)/H值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得第五硅基微结构；六增大tanθ＝(D+Ds)/H值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得第六硅基微结构；七增大α、tanθ值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，取三个初始状态值，分别得第七、八、九硅基微结构；以tanθ＝(D+Ds)/H为横坐标、α＝Ds/D为纵坐标，得硅基微结构变化状态。

主权项

硅基微结构温热处理成形多样性控制方法，其特征是首先确定初始的硅基微结构参数，包括圆柱孔的深度H，圆柱孔的直径D，孔径间的距离Ds，令tanθ＝(D+Ds)/H，α＝Ds/D，然后按如下步骤：步骤一：增大α＝Ds/D的值，即增大孔径间距与孔径值的比值，在同一温度环境中对样本热处理，得到第一硅基微结构；步骤二：接着增大α＝Ds/D的值，在与步骤一相同温度下，对样本进行热处理与步骤一相同时间，得到第二硅基微结构；步骤三：继续增大α＝Ds/D的值，同第二步骤的温度及时间，得到第三硅基微结构；步骤四：增大tanθ＝(D+Ds)/H的值，即减小圆柱孔深度H，在与步骤一相同的温度和时间中对样本热处理，得到第四硅基微结构；步骤五：接着增大tanθ＝(D+Ds)/H的值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得到第五硅基微结构；步骤六：继续增大tanθ＝(D+Ds)/H的值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得到第六硅基微结构；步骤七：同时增大α和tanθ的值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，取三个初始状态值，分别得到第七、第八、第九硅基微结构；最后，以tanθ＝(D+Ds)/H的值为横坐标、α＝Ds/D的值为纵坐标，得到硅基微结构变化状态。