[发明专利]硅基微结构温热处理成形多样性控制方法

权利要求书

1.硅基微结构温热处理成形多样性控制方法，其特征是首先确定初始的硅基微结构参数，包括圆柱孔的深度H，圆柱孔的直径D，孔径间的距离Ds，令tanθ＝(D+D_s)/H，α＝D_s/D，然后按如下步骤：

步骤一：增大α＝D_s/D的值，即增大孔径间距与孔径值的比值，在同一温度环境中对样本热处理，得到第一硅基微结构；

步骤二：接着增大α＝D_s/D的值，在与步骤一相同温度下，对样本进行热处理与步骤一相同时间，得到第二硅基微结构；

步骤三：继续增大α＝D_s/D的值，同第二步骤的温度及时间，得到第三硅基微结构；

步骤四：增大tanθ＝(D+D_s)/H的值，即减小圆柱孔深度H，在与步骤一相同的温度和时间中对样本热处理，得到第四硅基微结构；

步骤五：接着增大tanθ＝(D+D_s)/H的值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得到第五硅基微结构；

步骤六：继续增大tanθ＝(D+D_s)/H的值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得到第六硅基微结构；

步骤七：同时增大α和tanθ的值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，取三个初始状态值，分别得到第七、第八、第九硅基微结构；

最后，以tanθ＝(D+D_s)/H的值为横坐标、α＝D_s/D的值为纵坐标，得到硅基微结构变化状态。

2.如权利要求1所述的硅基微结构温热处理成形多样性控制方法，其特征是：进行温热处理硅基微结构成形研究的材料为抛光6-in(100)n型硅晶片。

3.如权利要求2所述的硅基微结构温热处理成形多样性控制方法，其特征是：将抛光6-in(100)n型硅晶片采用离子刻蚀机制造出U型圆柱孔的样本。

4.如权利要求3所述的硅基微结构温热处理成形多样性控制方法，其特征是：步骤一、将U型圆柱孔的样本在500℃-1400℃环境中进行热处理。