[发明专利]一种双层磨损均衡方法及系统有效
申请号: | 201610259384.8 | 申请日: | 2016-04-25 |
公开(公告)号: | CN105955891B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 冯丹;黄方亭;夏文;周文;鄢磊;张宇成;付忞;周玉坤 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F21/79 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种双层磨损均衡方法及系统,适用于相变存储器内存。该方法具体为:外层负责整个内存存储区域逻辑地址到中间地址的映射,通过增加密钥的复杂度,可以在恶意程序探测出完整的密钥前变换密钥;内层负责在每个子区域内使用独立的代数磨损均衡方法,在低开销的情况下达到区域内的磨损均衡,解决由于相变存储器存在复位和置位操作的延时差别而泄露磨损均衡算法的密钥,降低内存系统安全性的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 双层 磨损 均衡 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种双层磨损均衡方法,其特征在于,相变存储器内存存储区域被分为多个大小相同的子存储区域,每个子存储区域被分为多个大小相同的物理行,每一物理行对应一个逻辑地址和一个物理地址,所述逻辑地址和物理地址具有唯一映射的关系;所述方法包括以下步骤:对每个子存储区域,在其每执行P个写请求之后,使用代数磨损均衡算法移动该子存储区域中物理行的数据,从而实现子存储区域内部的磨损均衡;对整个内存存储区域,在其每执行T个写请求之后,按照如下步骤实现整个内存存储区域的磨损均衡:(S1)整个内存存储区域包含的物理行依序为第0行、第1行、……、第N行;判断当前空白行GAP是否是第N物理行,若是,跳转步骤(S2);否则,选择一个行进行重映射,跳转(S3);(S2)判定所有物理行的重映射标志是否都为true,若是,则说明所有物理行已完成本轮重映射,跳转步骤(S4),否则,跳转步骤(S5);(S3)利用本轮密钥计算当前空白行GAP所指向的逻辑地址DECKc(GAP),再利用上一轮密钥计算出该逻辑地址在上一轮映射中的物理行地址ENCKp(DECKc(GAP)),判断上一轮的物理行地址ENCKp(DECKc(GAP))是否等于需转移数据的物理行START,如果是,跳转步骤(S6),否则,跳转步骤(S7);(S4)令需转移数据的物理行START和当前空白行GAP同时为第0行;将第START物理行的数据移动到第N物理行,并为下一轮重映射生成密钥,结束;(S5)令需转移数据的物理行START为一个未重映射的行,将物理行START的数据移动到第N物理行,更新当前空白行GAP为物理行START,结束;(S6)将第N行的数据转移到当前空白行GAP,更新当前空白行GAP为第N行,将逻辑地址DECKc(GAP)所指物理行的重映射标志置为true,结束;(S7)将第ENCKp(DECKc(GAP))行的数据转移到当前空白行GAP,更新当前空白行GAP为第ENCKp(DECKc(GAP))行,将第ENCKp(DECKc(GAP))行的重映射标志置为true,结束。
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