[发明专利]一种DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构的制作方法

摘要

本发明提供一种DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构及其制作方法。包括首先提供一硅基体作为基板；在基体两侧表面通过LP‑CVD工艺沉积由3层纳米薄膜组成的结构层，从基体向上分别为SiN/SiO2/SiN；接着使用LP‑CVD工艺在所述结构层表面沉积牺牲层；刻蚀基体一侧所述结构层和所述牺牲层形成基体释放窗口；接着使用碱性溶液刻蚀所述硅基体得到由所述结构层和所述牺牲层组成的自支撑纳米薄膜。刻蚀掉所述自支撑纳米薄膜上方的牺牲层，得到悬空所述结构层。接着，使用氦离子束在悬空所述结构层上刻蚀出纳米通孔。最后使用缓冲过的氢氟酸刻蚀所述结构层中的SiO2得到由SiO2空腔分割开的双层SiN纳米孔结构。本发明工艺简单，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在生化检测领域有着较广的使用前景。

主权项

一种DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：1.)提供一硅基体作为基板；2.)在基板两侧表面通过低压化学气相沉积法LP‐CVD工艺沉积3层纳米薄膜组成的结构层，该结构层从基板向上的层结构顺序为SiN/SiO2/SiN；3.)使用LP‐CVD工艺在所述结构层表面沉积牺牲层；4.)利用反应离子刻蚀RIE，刻蚀所述硅基体一侧所述结构层和所述牺牲层形成硅基体释放窗口；5.)使用碱性溶液刻蚀所述硅基体得到由所述结构层和所述牺牲层组成的自支撑纳米薄膜；6.)再次使用刻蚀的办法，刻蚀掉所述自支撑纳米薄膜上方的牺牲层，得到悬空的所述结构层；7.)使用氦离子束在所述结构层上刻蚀出纳米通孔；8.)最后使用缓冲过的氢氟酸BOE刻蚀所述结构层中的SiO2，得到由SiO2空腔分割开的双层SiN纳米孔结构。