[发明专利]非晶氧化铟锡薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610242203.0 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN105839064A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 马志锋;刘玉华;张莉 | 申请（专利权）人： | 宜昌南玻显示器件有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 徐春祺 |
| 地址： | 443005*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶氧化铟锡薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供衬底；以及将所述衬底置于磁控溅射设备腔体内，在真空条件下、以氢气的体积百分含量为1％～3％的氩氢混合气体为工艺气体，以氧化铟锡为靶材，控制所述衬底的温度为‑50℃～100℃，在所述衬底上磁控溅射沉积非晶氧化铟锡薄膜。这种非晶氧化铟锡薄膜的制备方法，采用常规结晶氧化铟锡膜所用的氧化铟锡靶材(氧化铟质量比为85％～93％)，在氧化铟锡镀膜过程中以氢气的体积百分含量为1％～3％的氩氢混合气体为工艺气体，氢气具有良好的分散性从而利于均匀分布，无须增加昂贵的检测设备监控水分压，制得的非晶氧化铟锡薄膜的优良稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶氧化铟锡薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底；以及将所述衬底置于磁控溅射设备腔体内，在真空条件下、以氢气的体积百分含量为1％～3％的氩氢混合气体为工艺气体，以氧化铟锡为靶材，控制所述衬底的温度为‑50℃～100℃，在所述衬底上磁控溅射沉积非晶氧化铟锡薄膜。
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