[发明专利]一种基于真空蒸镀法的镀硒工艺、设备及其所得容器有效
申请号: | 201610238937.1 | 申请日: | 2016-04-18 |
公开(公告)号: | CN105970156B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 金明江;应仁龙 | 申请(专利权)人: | 杭州诺麦科科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/06 |
代理公司: | 杭州凯知专利代理事务所(普通合伙) 33267 | 代理人: | 邵志 |
地址: | 310053 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提出一种基于真空蒸镀法的镀硒工艺,包括如下步骤:将硒靶材和拟镀硒载体放入真空腔体内;真空腔体抽真空至10‑3Pa以上,对硒靶材进行加热,加热保温温度为200‑700℃,保温20‑100 s;停止加热,待真空腔体内温度降至室温后,充入惰性气体使腔体内气压恢复至大气压,将拟镀硒载体取出。采用本发明工艺能够在拟镀硒载体表面形成镀硒层,利用镀硒层与镓基液态合金表面氧化膜层的相斥性,有效避免镓基液态合金表面的氧化膜层(主要为氧化镓)与载体表面发生粘附,从而极大的改善镓基室温液态合金在各领域的使用环境和应用效果;另外镀层与载体的结合效果优异,镀层厚度可控。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 真空 蒸镀法 工艺 设备 及其 所得 容器 | ||
【主权项】:
1.一种基于真空蒸镀法的镀硒工艺制备得到的容器作为镓基液态合金的容器的应用,其特征在于:真空蒸镀法的镀硒工艺包括如下步骤将硒靶材和拟镀硒载体放入真空腔体内;真空腔体抽真空至10‑3Pa以上,对硒靶材进行加热,加热保温温度为200‑700℃,保温20‑100s;停止加热,待真空腔体内温度降至室温后,充入惰性气体使腔体内气压恢复至大气压,将拟镀硒载体取出。
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