[发明专利]一种提高纯度、减少针孔的钙钛矿薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种提高纯度、减少针孔的钙钛矿薄膜的制备方法。该方法具体是将CH3NH3X（X可以为Cl、Br或I）粉末溶解于无水异丙醇中形成CH3NH3X溶液，再以喷雾热解法将此溶液喷涂于一基片上，形成CH3NH3X膜层；之后将涂有PbX2薄膜的基底覆盖在CH3NH3X薄膜上；经高温退火使CH3NH3X蒸汽分子扩散到PbX2薄膜内，存在于介孔内的PbX2也可得到充分反应。本发明将CH3NH3X以薄膜的形式与PbX2薄膜进行接触反应，相较于粉末式接触可以将点接触替换为面接触，有效的解决了现有的粉末接触法由于接触不均匀而带来的针孔问题。

主权项

一种提高纯度、减少针孔的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征是，包括如下步骤：a、取PbX2粉末溶解于二甲基甲酰胺中，形成PbX2前驱液；X为Cl、Br或I；b、将PbX2前驱液通过旋涂工艺旋涂于一基片上，形成PbX2膜层；c、取CH3NH3X粉末溶解于无水异丙醇中，形成CH3NH3X溶液；d、采用喷雾热解法将CH3NH3X溶液喷涂于另一基片上，形成CH3NH3X膜层；e、将涂有PbX2膜层的基片覆盖在涂有CH3NH3X膜层的基片上，并使PbX2膜层与CH3NH3X膜层充分接触；f、对上述叠放在一起的两个基片进行加热，使CH3NH3X蒸发并扩散至PbX2膜层内，之后退火，形成CH3NH3PbX3钙钛矿薄膜；所述步骤f具体是：f1、将上述叠放在一起的两个基片进行加热，并在130℃~140℃下保持2h~3h，使CH3NH3X蒸发并扩散至PbX2膜层内，之后自然降温；f2、用异丙醇对涂有PbX2膜层的基片进行清洗，之后在140℃~150℃下退火20min~40min，最终形成CH3NH3PbX3钙钛矿薄膜。