[发明专利]用于以层序列制造微机电结构的方法及具有微机电结构的相应电子构件有效
| 申请号： | 201610235745.5 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN106044701B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | H·阿特曼;A·克尔布尔;C·齐尔克;O·布赖特沙伊德;P·B·施塔费尔特 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明创造一种用于以层序列制造微机电结构(ME1)的方法和一种具有微机电结构的相应的电子构件。本方法包括：提供具有第一表面(10)的载体衬底(T1)；将隔离层(l1)施加到第一表面(10)上；使第一硅层(S1)外延生长到隔离体层(l1)上；结构化第一硅层(S1)以便在第一硅层(S1)中构造沟槽(G)；钝化第一硅层(S1)，其中，填充沟槽(G)并且在背向第一表面(10)的一侧上构成钝化层(P)；结构化钝化层(P)，其中在第一硅层(S1)中构造牺牲区域(O1)和功能区域(F1)，并且牺牲区域(O1)在背向载体衬底(T1)的一侧上至少部分地摆脱钝化层(P)；最后，移除牺牲区域(O1)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 序列 制造 微机 结构 方法 具有 相应 电子 构件 | ||
【主权项】：
一种用于以层序列制造微机电结构(ME1)的方法，所述方法具有以下步骤：提供具有第一表面(10)的载体衬底(T1)；将隔离层(l1)施加到所述第一表面(10)上；使第一硅层(S1)外延生长到所述隔离层(l1)上；结构化所述第一硅层(S1)，以便在所述第一硅层(S1)中构造沟槽(G)，其中，所述沟槽(G)至少部分地延伸经过所述第一硅层(S1)；钝化所述第一硅层(S1)，其中，填充所述沟槽(G)并且在背向所述第一表面(10)的一侧上构成钝化层(P)；结构化所述钝化层(P)，其中，在所述第一硅层(S1)中构造牺牲区域(O1)和功能区域(F1)，并且所述牺牲区域(O1)在背向所述载体衬底(T1)的一侧上至少部分地摆脱所述钝化层(P)；以及移除所述牺牲区域(O1)。
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