[发明专利]一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极有效
| 申请号： | 201610232363.7 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN105655867B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 徐晨;潘冠中;荀孟;蒋国庆;解意洋 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极，能够解决大规模VCSEL阵列电流扩展不均匀的问题，同时还能解决传统的单条网格电极存在的同相模式吸收的问题，使阵列获得高功率同相输出。用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极包括外部边框大电极、内部双条网格电极；本发明采用多次质子注入方式制备VCSEL阵列，通过合理设计阵列单元间距和新型双条网格电极，可以解决单条网格电极存在的模式吸收问题，在保证同相激光输出的同时，可以获得高功率输出，大大提高了阵列的光束质量，可以应用于自由空间光互联、激光雷达、激光打印、光纤通信、光泵浦等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 光束 质量 大功率 vcsel 耦合 阵列 网格 电极 | ||
【主权项】：
1.一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极，其特征在于：用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极包括外部边框大电极(9)、内部双条网格电极(10)；内部双条网格电极(10)由一组相同的单条网格电极并列组成，两单条网格电极存在间距；内部双条网格电极(10)与出光单元(11)存在间距；外部边框大电极(9)设置在P型接触层(7)的顶部阵列周向位置，内部双条网格电极(10)均匀布置在P型接触层(7)的顶部单元与单元间距的中间位置；内部双条网格电极(10)将VCSEL阵列进行横向网格电极的划分，两单条网格电极存在间距；将内部双条网格电极(10)进行纵向网格电极的划分；经过横向网格电极与纵向网格电极的划分后，外部边框大电极(9)、内部双条网格电极(10)共同组成用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极结构。
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